reservoir_face 開口面の平均電位を N x N 格子平均で評価する。
| Type | Intent | Optional | Attributes | Name | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| type(mesh_type), | intent(in) | :: | mesh |
現在バッチ開始時点の電荷分布メッシュ。 |
||
| type(sim_config), | intent(in) | :: | sim |
シミュレーション設定。 |
||
| type(particle_species_spec), | intent(in) | :: | spec |
reservoir_face 粒子種設定。 |
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| type(electrostatic_snapshot_type), | intent(inout) | :: | snapshot |
refresh 済み静電 snapshot。 |
||
| real(kind=dp), | intent(out) | :: | phi_face |
注入開口面の平均電位 [V]。 |
||
| real(kind=dp), | intent(out), | optional | :: | phi_std |
評価格子上の電位の母標準偏差 [V](省略可)。 |
|
| real(kind=dp), | intent(out), | optional | :: | phi_min |
評価格子上の電位の母標準偏差 [V](省略可)。 評価格子上の最小電位 [V](省略可)。 |
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| real(kind=dp), | intent(out), | optional | :: | phi_max |
評価格子上の電位の母標準偏差 [V](省略可)。 評価格子上の最小電位 [V](省略可)。 評価格子上の最大電位 [V](省略可)。 |
subroutine compute_face_average_potential(mesh, sim, spec, snapshot, phi_face, phi_std, phi_min, phi_max) type(mesh_type), intent(in) :: mesh type(sim_config), intent(in) :: sim type(particle_species_spec), intent(in) :: spec type(electrostatic_snapshot_type), intent(inout) :: snapshot real(dp), intent(out) :: phi_face real(dp), intent(out), optional :: phi_std, phi_min, phi_max real(dp) :: phi_std_local, phi_min_local, phi_max_local call compute_rectangular_face_potential_statistics( & mesh, sim, snapshot, spec%inject_face, spec%pos_low, spec%pos_high, & sim%injection_face_phi_grid_n, phi_face, phi_std_local, phi_min_local, phi_max_local & ) if (present(phi_std)) phi_std = phi_std_local if (present(phi_min)) phi_min = phi_min_local if (present(phi_max)) phi_max = phi_max_local end subroutine compute_face_average_potential